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Si4310BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
6
4
2
0
V DS = 15 V
I D = 10 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 10 V
I D = 10 A
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.05
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 10 A
0.04
T J = 150 C
10
0.03
0.02
1
T J = 25 C
0.01
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
0.2
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μ A
0.0
120
- 0.2
8 0
- 0.4
- 0.6
- 0. 8
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
www.vishay.com
4
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
Document Number: 73064
S09-2436-Rev. B, 16-Nov-09
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